中科院苏州纳cx{研制出高灉|度新型微波探器
2016-4-12 来源:中国聚合物网 点击?/span>
关键词：(x)高灉|?/a> 微L探测?/a>
频微L探测器是微Lpȝ中的重要?sh)子器gQ在通讯、雷达、导航、遥感、电(sh)子工业、医疗、科学研I等斚whq泛应用。近q来Q随着通信技术的q速发展，Ҏ(gu)来微波探器提出?jin)更高的需求，如对微弱信号QμW以下Q的高灵敏度(g)，以及(qing)功耗低和易于小型化、集成化。利用电(sh)子自旋特性而不是电(sh)子电(sh)荷属性来构徏微L探测器，有望解决上述挑战?/span>
q期Q中国科学院苏州U米技术与U米仿生研究所曾中明团队与国内外科学家合作在基于电(sh)子自旋特性的微L探测器g研究斚w取得?jin)新的进展。他们利用薄膜制备技术精控制纳c磁性薄膜的界面Ҏ(gu)，巧妙地在“磁性自由层/隔离?性固定层”三明治U米l构中自由层的矩垂直于薄膜^面，而固定层的磁矩^行于薄膜q面Q图aQ。由于两性层的磁矩成q?0度排列，极大地提高了(jin)自旋注入效率。该l构h优异的微波探性能Q在1 nW的微׃号作用下Q其探测灉|度高?5,400 mVmW-1Q是半导体Schottky 二极探器探测极限?0倍。同Ӟ该器件体U是半导体微波探器?/50Q易于集成。此外，该器件可在零场下工作，消除?jin)对外加场的依赖，化了(jin)器gl构Q降低了(jin)功耗。该研究l果计新型高灉|的纳c_波器件提供了(jin)重要指导。相关研I成果发表在q期Nature Communications上（Nature CommunicationsQ?016, 7: 11259Q?/span>
该研I工作得C(jin)U技部重大A器专和国家自然U学基金资助?/span>
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QaQ器件结构及(qing)试原理C意图；QbQ不同外加偏|电(sh)作用下的微波响应曲Uѝ?/span>
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