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溫度及溫度梯度對(duì)SiC單晶生長(zhǎng)的影響

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SiC單晶溫度及溫度梯度生長(zhǎng)速率多型擴(kuò)徑生長(zhǎng)

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利用升華法在高溫低壓下生長(zhǎng)大直徑SiC單晶。通過(guò)實(shí)驗(yàn)發(fā)現(xiàn)：在相同的軸向溫度梯度下，SiC晶體平均生長(zhǎng)速率隨籽晶溫度的升高而變大。通過(guò)減小軸向溫度梯度，降低晶體生長(zhǎng)界面的徑向過(guò)飽和度分布，可以抑制多型的生長(zhǎng)。通過(guò)優(yōu)化溫場(chǎng)的徑向溫度梯度，利用φ50mm的籽晶進(jìn)行生長(zhǎng)，得到了φ57mm的SiC單晶，實(shí)現(xiàn)了晶體的擴(kuò)徑生長(zhǎng)。

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hustlb 2009-03-23 9:59:53

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