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BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長(zhǎng)研究  
BST類鐵電薄膜的最低晶化溫度和自組裝生長(zhǎng)研究
資料類型: PDF文件
關(guān)鍵詞: 鐵電薄膜  BST  外延生長(zhǎng)  LMBE  
資料大小: 226K
所屬學(xué)科:
來源: 來源網(wǎng)絡(luò)
簡(jiǎn)介:
利用激光分子束外延技術(shù)(LMBE)在Si(111)、SrTiO3(100)單晶基片上在(10-5Pa)高真空環(huán)境中外延生長(zhǎng)SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)鐵電薄膜。通過反射高能電子衍射(RHEED)實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)薄膜生長(zhǎng),并結(jié)合原子力顯微鏡(AFM)分析薄膜的生長(zhǎng)模式。根據(jù)RHEED衍射強(qiáng)度振蕩曲線及衍射圖樣的變化確定動(dòng)態(tài)和靜態(tài)最低晶化溫度,發(fā)現(xiàn)STO、BTO、BST三種鐵電薄膜可以分別在280℃、330℃、340℃的低溫下實(shí)現(xiàn)外延層狀生長(zhǎng)。當(dāng)保持BTO(110)/Si(111)層狀生長(zhǎng),逐漸降低沉積速率時(shí),發(fā)現(xiàn)這種層狀模式中每層高度是由整數(shù)倍單胞堆積而成,并且隨著沉積速率從0.017nm/s降低到0.005nm/s時(shí),每層高度由9降低到1個(gè)BTO單胞構(gòu)成,這對(duì)由ABO3鈣鈦礦材料自組裝形成納米結(jié)構(gòu)具有重要意義。
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上傳時(shí)間: 2007-07-13 13:23:38
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