 |
CdZnTe晶體歐姆接觸電極的制備工藝研究 |
|
|
|
| 資料類型： |
PDF文件
|
| 關(guān)鍵詞： |
碲鋅鎘 歐姆接觸 薄膜 磁控濺射 |
| 資料大?。?/td>
| 163K |
| 所屬學科： |
高分子化學 |
| 來源： |
來源網(wǎng)絡 |
| 簡介： |
|
高阻CdZnTe晶體是X射線及γ射線探測最優(yōu)秀的材料。制備CdZnTe探測器最關(guān)鍵的技術(shù)之一就是在CdZnTe表面制備出歐姆接觸薄膜電極。關(guān)于在CdZnTe晶體表面制備接觸電極用導電薄膜，大都是采用蒸發(fā)鍍膜技術(shù)，膜層與CdZnTe晶體結(jié)合不很牢固。本論文主要開展了在CdZnTe晶體上歐姆接觸電極的選材和制備工藝的研究。理論分析了金屬與CdZnTe半導體的接觸關(guān)系，根據(jù)影響因素選擇Cu/Ag合金作為電極薄膜材料。利用射頻磁控濺射法成功地在CdZnTe晶體上制備出Cu/Ag膜。研究發(fā)現(xiàn)Cu/Ag合金膜的電阻率隨濺射功率的增大而增大、襯底溫度的升高而降低。從理論上對這一規(guī)律進行了解釋。 |
|
| 上傳人： |
|
| 上傳時間： |
2007-07-13 13:52:53 |
| 下載次數(shù)： |
6990 |
| 消耗積分： |
2
|
| 立即下載： |
|
|
| 友情提示：下載后對該資源進行評論，即可獎勵2分。 |
|
| 報告錯誤： |
1.下載無效
2. 資料明顯無價值
3. 資料重復存在 |
| |
| 相關(guān)評論 共有1人發(fā)表評論 |
更多評論 |
|
|
| 你還沒有登錄，無法發(fā)表評論，請首先 |
 |
| 免責聲明：本站部分資源由網(wǎng)友推薦，來自互聯(lián)網(wǎng)，版權(quán)屬于原版權(quán)人，如果不慎侵犯到您的權(quán)利，敬請告知，我們會在第一時間撤除。本站中各網(wǎng)友的評論只代表其個人觀點，不代表本站同意其觀點。 |
|
|
|
|
