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天津大學(xué)李立強(qiáng)-陳小松團(tuán)隊《Adv. Mater.》:零溫度系數(shù)點現(xiàn)象用于實現(xiàn)溫度不敏感的有機(jī)場效應(yīng)晶體管
2024-04-08  來源:高分子科技

  有機(jī)半導(dǎo)體材料因其本征柔性、低成本和可大面積加工等優(yōu)勢,在柔性顯示、電子皮膚、智慧醫(yī)療及物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。然而,有機(jī)半導(dǎo)體由于其具有溫度依賴性的電荷傳輸機(jī)制以及易受溫度影響的形貌演變現(xiàn)象,表現(xiàn)為本征溫度敏感。以有機(jī)半導(dǎo)體作為導(dǎo)電溝道的有機(jī)場效應(yīng)晶體管,其電學(xué)特性及穩(wěn)定性也極易受到溫度效應(yīng)的影響。因此,實現(xiàn)對溫度不敏感的有機(jī)場效應(yīng)晶體管對有機(jī)電子設(shè)備在實際環(huán)境中的應(yīng)用至關(guān)重要。針對溫度影響有機(jī)半導(dǎo)體形貌演變的問題,天津大學(xué)李立強(qiáng)-陳小松團(tuán)隊前期開發(fā)的應(yīng)變工程策略可有效解決(Nat. Commun.202213,1480; Adv. Mater. 2023, 2306975)。而針對有機(jī)場效應(yīng)晶體管表現(xiàn)出的溫度依賴的電荷傳輸模式,目前仍沒有有效的解決辦法。實現(xiàn)溫度不敏感的有機(jī)場效應(yīng)晶體管仍是巨大挑戰(zhàn)。


  針對上述應(yīng)用需求和科學(xué)挑戰(zhàn),天津大學(xué)李立強(qiáng)-陳小松團(tuán)隊通過借鑒無機(jī)晶體管利用零溫度系數(shù)點行為實現(xiàn)溫度抗擾性的解決辦法,實現(xiàn)了溫度不敏感的有機(jī)場效應(yīng)晶體管。無機(jī)晶體管的零溫度系數(shù)點行為被廣泛應(yīng)用于模擬電路設(shè)計和集成應(yīng)用中,保證電子設(shè)備在變溫環(huán)境下的正常運行。零溫度系數(shù)點存在于表現(xiàn)為能帶傳輸模式的器件中,通過載流子遷移率及閾值電壓的相互補(bǔ)償,在固定柵極電壓及源漏電壓下可輸出不受溫度干擾的電流。然而,有機(jī)場效應(yīng)晶體管通常表現(xiàn)為熱激活的跳躍傳輸模式,其隨溫度增加的載流子遷移率無法與閾值電壓相互補(bǔ)償,很難表現(xiàn)出零溫度系數(shù)點現(xiàn)象。
該工作通過在有機(jī)半導(dǎo)體層中摻入微量納米顆粒,在不影響器件性能的前提下通過改變費米能級隨溫度的變化趨勢有效調(diào)控閾值電壓隨溫度的變化情況,使閾值電壓與遷移率可以相互補(bǔ)償,從而在有機(jī)場效應(yīng)晶體管中實現(xiàn)零溫度系數(shù)點行為。當(dāng)器件工作于零溫度系數(shù)點,可實現(xiàn)溫度不敏感的源漏電流,有效提高了有機(jī)場效應(yīng)晶體管的溫度穩(wěn)定性。 


添加微量納米顆粒前后的有機(jī)場效應(yīng)晶體管器件模型及相應(yīng)的電學(xué)性能


  為了探究摻雜納米顆粒的有機(jī)場效應(yīng)晶體管存在零溫度系數(shù)點行為的原因,作者通過缺陷態(tài)密度的計算以及變溫紫外光電子能譜等表征證明了納米顆?梢杂行ьA(yù)填充有機(jī)半導(dǎo)體的深缺陷能級,進(jìn)而改變有機(jī)半導(dǎo)體費米能級隨溫度的變化趨勢,從而產(chǎn)生了零溫度系數(shù)點現(xiàn)象。作者通過理論推導(dǎo)進(jìn)一步闡明了閾值電壓與遷移率的溫度系數(shù)相等是有機(jī)場效應(yīng)晶體管中零溫度系數(shù)點產(chǎn)生的必要條件。以上結(jié)論有助于零溫度系數(shù)點理論體系的完善及后續(xù)應(yīng)用的推廣。 


有機(jī)場效應(yīng)晶體管中零溫度系數(shù)點行為的機(jī)制分析


  最后,作者證明了有機(jī)場效應(yīng)晶體管零溫度系數(shù)點行為具有普適性,并在超過50000秒的變溫偏壓測試中實現(xiàn)了不同溫區(qū)內(nèi)穩(wěn)定的輸出電流。該工作為實現(xiàn)溫度不敏感有機(jī)場效應(yīng)晶體管提供了一種有效的解決方案。 


零溫度系數(shù)點行為在實現(xiàn)溫度不敏感有機(jī)場效應(yīng)晶體管中的應(yīng)用


  以上工作相關(guān)論文近期發(fā)表于Advanced Materials期刊 (DOI: 10.1002/adma.202400089)。天津大學(xué)分子聚集態(tài)科學(xué)研究院李立強(qiáng)教授和陳小松副教授主持了該工作,為論文通訊作者,中國科學(xué)院微電子研究所畢津順教授為共同通訊作者。天津大學(xué)分子聚集態(tài)科學(xué)研究院博士研究生戚建楠碩士研究生鐵凱以及中國科學(xué)院微電子研究所博士研究生馬越為該論文的共同第一作者。天津大學(xué)有機(jī)集成電路教育部重點實驗室、天津市分子光電科學(xué)重點實驗室胡文平教授對本研究提供了支持和指導(dǎo)。該研究工作得到了國家重點研發(fā)計劃,國家杰出青年科學(xué)基金,國家自然科學(xué)基金,天津市自然科學(xué)基金的資助,并獲得蘇州納米真空互聯(lián)實驗站(Nano-X)的技術(shù)支持。


  論文信息:https://doi.org/10.1002/adma.202400089

  Jiannan Qi, Kai Tie, Yue Ma, Yinan Huang, Wenbing Gong, Shougang Sun, Zhongwu Wang, Zhiyun Li, Rong Huang, Jinshun Bi*, Liqiang Li*, Xiaosong Chen* and Wenping Hu, Achieving Zero-Temperature Coefficient Point Behavior by Defect Passivation for Temperature-Immune Organic Field-Effect Transistors. Adv. Mater. 2024, 2400089.

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